技術內容

為解決多晶片封裝模組的散熱及各個晶片的異質整合問題，工研院設計了39 GHz AoP扇出型內崁厚銅封裝架構，製造出包含功率放大器（PA）、低雜訊放大器（LNA）和開關（Switch）的多晶片天線模組。在39 GHz操作頻率下，模組的熱阻為0.679 °C/W，晶片溫度（Tj）達到83.3°C。目前已完成可量測的天線特性，頻段覆蓋範圍為38至40GHz，經過標準校正後，天線的峰值增益在0至8 dBi之間。
 

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單位：電子與光電系統研究所
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