化合物半導體

具量產可行性之超低熱阻天線封裝

技術特色
本封裝結構採大面積覆銅面作為接地參考,結合低損耗材料,實現AiP天線整合,具高頻寬、良好散熱、成本效益及量產可行性。

技術內容

工研院針對AiP天線整合封裝技術的挑戰,推出了一種具量產可行性的封裝架構,應用於60~77GHz。此技術在高操作頻率和高頻寬下表現卓越,採用低極性樹脂和包覆型導熱粉體開發,並引入非對稱高頻鐵氧體EMI抑制材料。這些創新技術被整合於關鍵的PA和LNA晶片,使其具備超低熱阻0.139 °C/W和穩定的76.86 °C溫度Tj,同時支援雙面出PIN配置,提升電性表現。
 

單位:電子與光電系統研究所
姓名:高浩哲
電話:03-5919298
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