HPC半導體技術

高深寬比玻璃填孔技術

技術特色
高深寬比玻璃填孔技術能有效提升電極密度與晶片堆疊效能,進一步推動半導體技術的發展。

技術內容

未來高效能運算晶片封裝將採用玻璃基板取代矽中介板或有機載板。工研院開發雷射改質鑽孔濕式晶種層電鍍填銅技術,解決雷射鑽孔緩慢、晶種層沉積不連續、填銅易產生缺陷問題,可製作六吋玻璃通孔填銅基板,厚度300~800 μm、孔徑30~100 μm (AR 10~20)。透過此技術將降低封裝變形、滿足線路細微化及高頻/高速傳輸需求,進一步推動半導體技術發展。
 

單位:機械與機電系統研究所
姓名:呂曼寧
電話:03-5915832
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