領先國際之先進MRAM晶片技術與驗證平台

技術內容

工研院可以針對不同種類的MRAM需求，例如SOT MRAM、VC MRAM、低溫工作STT MRAM、單極工作MRAM等，開發膜層結構各異的磁性多層膜，以及低損傷、無漏電的磁性多層膜蝕刻技術。工研院的成果展示了多種超越現有標準型STT MRAM特性的新型MRAM，這些MRAM各自呈現出高速寫入、低寫入能耗、低讀取能耗、低溫工作和高密度等記憶體可行性的潛力。
MRAM市場深具發展性，未來的應用領域包括：22nm製程以下的嵌入式記憶體、高效能行動裝置與車用高可靠度MCU、AI晶片和磁性感測器…等產業。 
 

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單位：電子與光電系統研究所
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