化合物半導體

6'' 1700V 碳化矽功率晶片

技術特色
工研院研發之碳化矽功率元件，具有高電流、低導通電阻，並有適當的閘極臨界電壓。

技術內容

工研院的1700V碳化矽功率元件，透過高密度晶胞設計與均勻熱分布之晶片設計，以達成低導通電阻、高電流之優異元件特性 (Ron,sp ≤ 8mW‧cm2)。
特色:
  • 碳化矽元件規格: 1700V/80A
  • 元件特性：
  1. 典型臨界電壓：gate threshold voltage, VGS(th) = 3.5 V 
  2. 大電流：ID = 80 A at Tc = 25°C
  3. 低導通電阻：Ron,sp ≤ 8mW‧cm2
  

單位：電子與光電系統研究所
姓名：陳華茂
電話：03-5917139
信箱：Huamao.chen@itri.org.tw
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