化合物半導體

1200V 500A 三相碳化矽功率模組

技術特色
高功率SiC功率模組採用三相全橋電路與直接液冷技術,具高散熱、低寄生參數,符合AQG 324車規標準。

技術內容

工研院的高功率碳化矽功率模組應用於電動車變流器,具有高功率密度及高效率的應用優勢,可提升電動車續航力。功率模組設計採用三相全橋電路與直接液冷技術,具有高散熱性能、低寄生參數及高可靠度等技術特點,並且模組通過AQG 324車規標準。
技術特點如下:
  • 1200V/ 500A SiC MOSFET功率模組
  • 專利外殼設計
  • 三相全橋電路架構(6-in-1)
  • 銀燒結晶片接合
  • 熱阻(Rth,j-f)≦0.1 K/W
  • 寄生電感(Ls)<10 nH
  • AQG 324車規可靠度測試
  

單位:電子與光電系統研究所
姓名:劉君愷
電話:03-5914592
信箱:allen.liu@itri.org.tw