碳化矽長晶分析平台

技術內容

碳化矽（SiC）晶體生長製程對於製造高性能半導體材料至關重要。熱場模擬可以精確控制晶體生長過程中的溫度分佈，進而提高晶體品質。透過整合人工智慧（AI）數據分析，可以實現生長參數的即時分析和優化。人工智慧模型可以預測最佳生長條件，減少缺陷並提高產量。此外，這種方法縮短了生產週期，降低了成本，並推動了半導體材料產業的發展。
 

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單位：材料與化工研究所
姓名：詹皓宇
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