化合物半導體
高純半絕緣型碳化矽粉體技術
- 技術特色
- 高溫熱場與除雜調控技術讓碳化矽粉體合成同時達到提純與晶粒粗化；配合AI模擬於長晶製程中掌握熱場均勻性，不需重工，減少廢氣與廢液之產生。
技術內容
碳化矽粉體品質與晶體成長優劣有高度正相關性。工研院自主開發高溫熱場控制技術與除雜技術，可直接調控碳化矽粉體純度達5N5以上、控制晶粒尺寸大小從數十微米至2000微米，調控α與β相比例與氮含量，可依長晶應用需求製備不同特性規格之碳化矽粉體，並導入AI與模擬將碳化矽粉體實際應用於晶體成長驗證，以提升國內高階原物料之自主化能力。單位：材料與化工研究所
姓名：徐煜翔；翁雪萍
電話：(O)06-3636987/(M)0980-115433；(O)06-3636979 /(M)0930-730795
信箱：shawnhsu@itri.org.tw/sherry.hpw@itri.org.tw